鎧俠計劃五年內將產量翻一番，以滿足 AI 數據中心對 NAND 的需求

IT之家 6 月 6 日消息，鎧俠控股昨日召開經營方針說明會，稱其計劃在五年內將產能翻一番（IT之家注：以存儲容量計算），到 2026 年生產出下一代 NAND 閃存。

鎧俠表示，計劃通過擴大其四日市工廠和北上工廠的生產線，到 2029 財年將產能較 2024 財年提高一倍，以滿足 AI 數據中心對 NAND 閃存日益增長的需求。

同日，該公司公布了其中長期經營計劃，北上市第二生產基地大樓將于 9 月落成，并將引入新設備以提升產能，計劃在 2026 年 3 月實現(xiàn)其銷售額超過現(xiàn)有產品。

鎧俠下一代存儲器被稱為“存儲級存儲器（SCM）”，其數據讀寫速度快于 NAND，與目前用于 AI 的 DRAM 相比存儲容量更大，因此與 AI 芯片結合使用時可進一步提升 AI 性能。

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